失效分析可以找出IC芯片故障部位、失效原因和機理，從而提供產(chǎn)品改進方向和防止問題發(fā)生的意見，它為設(shè)計者、生產(chǎn)者、使用者找出故障原因和預(yù)防措施。失效分析對改進產(chǎn)品設(shè)計，選材等提供依據(jù)，并防止或減少斷裂事故發(fā)生；通過失效分析還可以預(yù)測可靠性；可以提高機械產(chǎn)品的信譽，并能起到技術(shù)反饋作用。

　　失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說，失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面：失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析為設(shè)計工程師不斷改進或者修復(fù)芯片的設(shè)計，使之與設(shè)計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補充，為驗證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。

　　失效分析主要步驟和內(nèi)容:

　　芯片開封：去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準備。

　　SEM掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、*測量元器件尺寸等等。

　　探針測試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。鐳射切割：以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。

　　EMMI偵測：EMMI微光顯微鏡是一種效率*高的失效分錯析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發(fā)光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。

　　OBIRCH應(yīng)用（鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試）：OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等，也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補充。

　　LG液晶熱點偵測：利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像，找尋在實際分析中困擾設(shè)計人員的漏電區(qū)域（超過10mA之故障點）。

　　定點/非定點芯片研磨：移除植于液晶驅(qū)動芯片Pad上的金凸塊，保持Pad完好無損，以利后續(xù)分析或rebonding。

　　X-Ray無損偵測：檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。

　　SAM(SAT)超聲波探傷可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測,有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如：o晶元面脫層，o錫球、晶元或填膠中的裂縫，o封裝材料內(nèi)部的氣孔，o各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。